Method for producing nitride semiconductor and nitride semiconductor device

WO2008023774 Art A1 28. Februar 2008

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008023774
Aktenzeichen: EP07792936
Anmeldetag: 23. August 2007
Veröffentlichung: 28. Februar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C30B25/02C30B29/38H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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