Semiconductor and method for producing the same

WO2008023821 Art A1 28. Februar 2008

Anmelder: National Institute for Materials Science, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008023821
Aktenzeichen: EP07793036
Anmeldetag: 27. August 2007
Veröffentlichung: 28. Februar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L21/20H01L21/203H01L21/22H01L29/82

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: National Institute for Materials Science
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute for Materials Science

Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.

828 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

147 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von