Low-K Damage Avoidance During Bevel Etch Processing

WO2008024792 Art A1 28. Februar 2008

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008024792
Aktenzeichen: EP07814312
Anmeldetag: 21. August 2007
Veröffentlichung: 28. Februar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02G03F7/42H01L21/00H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von