Thin-film diode structure using a sacrificial doped dielectric layer

WO2008025057 Art A1 6. März 2008

Anmelder: NewSouth Innovations Pty Limited 🇦🇺

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008025057
Aktenzeichen: EP07784842
Anmeldetag: 22. August 2007
Veröffentlichung: 6. März 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/0392H01L21/22H01L21/324H01L21/328H01L23/15H01L31/18H01L31/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NewSouth Innovations Pty Limited
Land: 🇦🇺 Australien

🇦🇺 NewSouth Innovations

NewSouth Innovations ist die Technologietransfer-Gesellschaft der University of New South Wales in Australien. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt durch Mess- und Prüftechnik sowie Pharma- und Biotechnologie. Anmeldungen reichen von 2000 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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