Plasma generating method, organic material film etching method, negative ion generating method and oxidizing or nitriding treatment method

WO2008026712 Art A1 6. März 2008

Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008026712
Aktenzeichen: EP07806432
Anmeldetag: 24. August 2007
Veröffentlichung: 6. März 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H05H1/46H01L21/3065H01L21/318

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NGK Insulators, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von