Fin field effect transistor haiving low leakage current and method of manufacturing the finfet

WO2008026859 Art A1 6. März 2008

Anmelder: Kyungpook National University Industry- Academic Cooperation Foundation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008026859
Aktenzeichen: EP07793707
Anmeldetag: 27. August 2007
Veröffentlichung: 6. März 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Kyungpook National University Industry- Academic Cooperation Foundation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation

Technologietransfer-Stiftung der staatlichen Kyungpook National University in Südkorea, zuständig für Forschungskooperationen und Patentverwertung. Patente decken ein breites Spektrum universitärer Forschung ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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