Self-aligned, planar phase change memory elements and devices, systems employing the same and methods of forming the same

WO2008027135 Art A2 6. März 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008027135
Aktenzeichen: EP07797017
Anmeldetag: 26. Juli 2007
Veröffentlichung: 6. März 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/24H01L45/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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