Integrated process for sputter deposition of a conductive barrier layer, especially an alloy of ruthenium and tantalum, underlying copper or copper alloy seed layer

WO2008027186 Art A2 6. März 2008

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008027186
Aktenzeichen: EP07811320
Anmeldetag: 14. August 2007
Veröffentlichung: 6. März 2008
Rechtsraum: WO
IPC: B32B7/00B32B3/00C23C16/00B05D5/12C23C14/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik Verfahrens- & Trenntechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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