In-pixel analog memory with non-destructive read sense circuit for high dynamic range global shutter pixel operation

WO2008027212 Art A1 6. März 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008027212
Aktenzeichen: EP07836979
Anmeldetag: 17. August 2007
Veröffentlichung: 6. März 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H04N3/15

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Nachrichtentechnik & Telekommunikation

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