Device with pb-based high-k dielectric thin-film capacitor comprising pb-donating layers

WO2008028660 Art A2 13. März 2008

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008028660
Aktenzeichen: EP07818063
Anmeldetag: 6. September 2007
Veröffentlichung: 13. März 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L23/64

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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