Mask pattern design method, mask pattern design device, and semiconductor device manufacturing method

WO2008029611 Art A1 13. März 2008

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008029611
Aktenzeichen: EP07792725
Anmeldetag: 20. August 2007
Veröffentlichung: 13. März 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G03F1/08H01L21/027H01L21/82

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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