One-transistor dram floating-body cell with a bias gate in a bulk substrate and methods of fabricating and operating the same

WO2008030588 Art A1 13. März 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008030588
Aktenzeichen: EP07837924
Anmeldetag: 7. September 2007
Veröffentlichung: 13. März 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8242H01L27/108H01L29/78G11C11/401H01L21/763

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von