Method for fabricating high-speed thin-film transistors

WO2008030802 Art A2 13. März 2008

Anmelder: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008030802
Aktenzeichen: EP07841819
Anmeldetag: 4. September 2007
Veröffentlichung: 13. März 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/77H01L29/786H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Wisconsin Alumni Research Foundation

US-amerikanische, mit der University of Wisconsin-Madison verbundene Organisation, die Patente aus universitärer Forschung verwaltet und lizenziert. Die Stiftung wurde 1925 gegründet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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