Method for manufacturing semiconductor epitaxial crystal substrate

WO2008032873 Art A1 20. März 2008

Anmelder: Sumitomo Chemical Company, Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008032873
Aktenzeichen: EP07807805
Anmeldetag: 14. September 2007
Veröffentlichung: 20. März 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/338H01L29/778H01L29/78H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Chemical Company, Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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