Crystallization method of amorphous silicon layer and manufacturing method of thin film transistor using the same
WO2008032917
Art A1
20. März 2008
Anmelder: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008032917
- Aktenzeichen
- EP07746094
- Anmeldetag
- 20. April 2007
- Veröffentlichung
- 20. März 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University
Technologietransfer- und Patentverwertungsstelle der Yonsei University in Südkorea, verwaltet Erfindungen aus der universitären Forschung.
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