Methods of and apparatus for measuring and controlling wafer potential in pulsed rf bias processing
WO2008036210
Art A2
27. März 2008
Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008036210
- Aktenzeichen
- EP07838281
- Anmeldetag
- 14. September 2007
- Veröffentlichung
- 27. März 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01R1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Lam Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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