Nbti-resistant memory cells with nand gates

WO2008037816 Art A1 3. April 2008

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008037816
Aktenzeichen: EP06820003
Anmeldetag: 28. September 2006
Veröffentlichung: 3. April 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/412

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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