Semiconductor device having capacitor and its manufacturing method

WO2008038343 Art A1 3. April 2008

Anmelder: Fujitsu Microelectronics Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008038343
Aktenzeichen: EP06810613
Anmeldetag: 27. September 2006
Veröffentlichung: 3. April 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246H01L21/822H01L27/04H01L27/10H01L27/105

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Microelectronics Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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