Semiconductor device

WO2008038686 Art A1 3. April 2008

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008038686
Aktenzeichen: EP07828483
Anmeldetag: 19. September 2007
Veröffentlichung: 3. April 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G02F1/1343G02F1/1339G02F1/1362

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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