Method for forming silicon oxide film, plasma processing apparatus and storage medium

WO2008038788 Art A1 3. April 2008

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008038788
Aktenzeichen: EP07828783
Anmeldetag: 28. September 2007
Veröffentlichung: 3. April 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/318H01L21/76H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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