Symmetric bipolar junction transistor design for deep sub-micron fabrication processes
WO2008039340
Art A1
3. April 2008
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008039340
- Aktenzeichen
- EP07838493
- Anmeldetag
- 20. September 2007
- Veröffentlichung
- 3. April 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/73H01L21/8222
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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