Fluorine plasma treatment of high-k gate stack for defect passivation

WO2008039845 Art A2 3. April 2008

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008039845
Aktenzeichen: EP07843230
Anmeldetag: 26. September 2007
Veröffentlichung: 3. April 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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