Transistor surround gate structure with partial silicon-on-insulator for memory cells, memory arrays, memory devices and systems and methods of forming same

WO2008042165 Art A2 10. April 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008042165
Aktenzeichen: EP07838819
Anmeldetag: 25. September 2007
Veröffentlichung: 10. April 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/84H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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