Technique For Improved Damage Control in A Plasma Doping (plad) Ion Implantation
WO2008042647
Art A2
10. April 2008
Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008042647
- Aktenzeichen
- EP07843123
- Anmeldetag
- 25. September 2007
- Veröffentlichung
- 10. April 2008
- Rechtsraum
- WO
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.
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