Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
WO2008047687
Art A1
24. April 2008
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008047687
- Aktenzeichen
- EP07829613
- Anmeldetag
- 11. Oktober 2007
- Veröffentlichung
- 24. April 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3205H01L21/768H01L23/52
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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