Process for producing crystal silicon grain and crystal silicon grain production apparatus

WO2008047881 Art A1 24. April 2008

Anmelder: Kyocera Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008047881
Aktenzeichen: EP07830118
Anmeldetag: 18. Oktober 2007
Veröffentlichung: 24. April 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06C01B33/02C30B30/08H01L21/208H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Kyocera Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kyocera

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Kyoto. Kyocera fertigt Keramikbauteile, Halbleiterkomponenten, Solarmodule, Druck- und Kopiersysteme sowie Elektronikprodukte für Industrie und Endverbraucher.

6.341 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von