Radiation shield for cryogenic pump for high temperature physical vapor deposition

WO2008048324 Art A2 24. April 2008

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008048324
Aktenzeichen: EP06851804
Anmeldetag: 23. Oktober 2006
Veröffentlichung: 24. April 2008
Rechtsraum: WO
IPC: B01D8/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Verfahrens- & Trenntechnik

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