Backside wafer contact structure and method of forming the same

WO2008050251 Art A1 2. Mai 2008

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008050251
Aktenzeichen: EP07826649
Anmeldetag: 4. Oktober 2007
Veröffentlichung: 2. Mai 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/482

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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