Method for forming high dielectric film and method for manufacturing semiconductor device

WO2008050708 Art A1 2. Mai 2008

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008050708
Aktenzeichen: EP07830261
Anmeldetag: 22. Oktober 2007
Veröffentlichung: 2. Mai 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316C23C16/56H01L21/8242H01L27/108H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von