Single crystal of tmxhoyliln(1-x-y)f4 and laser oscillator using the same
WO2008054008
Art A1
8. Mai 2008
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008054008
- Aktenzeichen
- EP07831182
- Anmeldetag
- 30. Oktober 2007
- Veröffentlichung
- 8. Mai 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01S3/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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