Method of forming a semiconductor structure comprising a field effect transistor having a stressed channel region
WO2008054679
Art A1
8. Mai 2008
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., Advanced Micro Devices, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008054679
- Aktenzeichen
- EP07852965
- Anmeldetag
- 26. Oktober 2007
- Veröffentlichung
- 8. Mai 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8234H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Advanced Micro Devices, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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