Methods of fabricating a barrier layer with varying composition for copper metallization

WO2008055007 Art A2 8. Mai 2008

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008055007
Aktenzeichen: EP07844397
Anmeldetag: 18. Oktober 2007
Veröffentlichung: 8. Mai 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/4763

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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