Method and device for forming silicon dot and silicon dot and method and device for forming substrate with insulating film

WO2008056556 Art A1 15. Mai 2008

Anmelder: Nissin Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008056556
Aktenzeichen: EP07830726
Anmeldetag: 29. Oktober 2007
Veröffentlichung: 15. Mai 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L21/8247H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissin Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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