Interlayer insulating film, wiring structure, electronic device and method for manufacturing the interlayer insulating film, the wiring structure and the electronic device

WO2008056748 Art A1 15. Mai 2008

Anmelder: National University Corporation Tohoku University, Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008056748
Aktenzeichen: EP07831465
Anmeldetag: 8. November 2007
Veröffentlichung: 15. Mai 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/312H01L21/768H01L23/522

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: National University Corporation Tohoku University
Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von