A low temperature process for depositing a high extinction coefficient non-peeling optical absorber for a scanning laser surface anneal of implanted dopants

WO2008057157 Art A1 15. Mai 2008

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008057157
Aktenzeichen: EP07852407
Anmeldetag: 18. September 2007
Veröffentlichung: 15. Mai 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/425

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

10.783 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von