Atomic layer deposition in the formation of gate structures for iii-v semiconductor

WO2008057179 Art A2 15. Mai 2008

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008057179
Aktenzeichen: EP07852830
Anmeldetag: 18. Oktober 2007
Veröffentlichung: 15. Mai 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/335H01L21/285

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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