Method for continuous, in situ evaluation of entire wafers for macroscopic features during epitaxial growth

WO2008057183 Art A1 15. Mai 2008

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008057183
Aktenzeichen: EP07861436
Anmeldetag: 18. Oktober 2007
Veröffentlichung: 15. Mai 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G01N21/95C23C16/52C30B23/02C30B25/16

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

3.397 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von