Growth and manufacture of reduced dislocation density and free-standing aluminum nitride films by hydride vapor phase epitaxy

WO2008057454 Art A2 15. Mai 2008

Anmelder: The Regents of the University of California, Japan Science and Technology Agency 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008057454
Aktenzeichen: EP07861677
Anmeldetag: 2. November 2007
Veröffentlichung: 15. Mai 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C01B21/072

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Anmelder

Firmen: The Regents of the University of California
Japan Science and Technology Agency
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe

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