Printable thin-film transistors with high dielectric constant gate insulators and methods for producing same
WO2008060534
Art A1
22. Mai 2008
Anmelder: Georgia Tech Research Corporation, Philseok, Kim 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008060534
- Aktenzeichen
- EP07853112
- Anmeldetag
- 13. November 2007
- Veröffentlichung
- 22. Mai 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Georgia Tech Research Corporation
Philseok, Kim - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Georgia Tech Research Corporation
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