Magnetic tunnel junction structure and method

WO2008060762 Art A2 22. Mai 2008

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008060762
Aktenzeichen: EP07843342
Anmeldetag: 27. September 2007
Veröffentlichung: 22. Mai 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G11B5/33B05D5/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Verfahrens- & Trenntechnik

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