Integrated doherty type amplifier arrangement with high power efficiency

WO2008062371 Art A2 29. Mai 2008

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008062371
Aktenzeichen: EP07849207
Anmeldetag: 21. November 2007
Veröffentlichung: 29. Mai 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H03F1/07H03F1/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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