Semiconductor device and method for fabricating the same

WO2008062642 Art A1 29. Mai 2008

Anmelder: NEC Corporation, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, National Institute Of Advanced Industrial Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008062642
Aktenzeichen: EP07830893
Anmeldetag: 24. Oktober 2007
Veröffentlichung: 29. Mai 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H05B33/26H01L29/786H01L51/05H01L51/30H01L51/40H01L51/50H05B33/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NEC Corporation
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
National Institute Of Advanced Industrial Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

27.380 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von