Independent radiant gas preheating for precursor disassociation control and gas reaction kinetics in low temperature cvd systems

WO2008063980 Art A2 29. Mai 2008

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008063980
Aktenzeichen: EP07864301
Anmeldetag: 13. November 2007
Veröffentlichung: 29. Mai 2008
Rechtsraum: WO
IPC: F25B29/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik

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