A Point Defect Engineered Si Light-Emitting Diode At 1.218 M

WO2008063985 Art A2 29. Mai 2008

Anmelder: The President and Fellows of Harvard College 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008063985
Aktenzeichen: EP07864309
Anmeldetag: 13. November 2007
Veröffentlichung: 29. Mai 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/15

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The President and Fellows of Harvard College
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Harvard University

US-amerikanische Elite-Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts. Harvard betreibt Forschung und Patentierung in zahlreichen Feldern, insbesondere Biotechnologie, Medizin, Life Sciences und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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