Method of forming a structure having a high dielectric constant and a structure having a high dielectric constant

WO2008064035 Art A1 29. Mai 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008064035
Aktenzeichen: EP07864369
Anmeldetag: 14. November 2007
Veröffentlichung: 29. Mai 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01G4/12H01L21/02H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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