Method for manufacturing semiconductor device having dual-face electrode structure and semiconductor device manufactured by the method

WO2008065896 Art A1 5. Juni 2008

Anmelder: Kyushu Institute of Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008065896
Aktenzeichen: EP07831887
Anmeldetag: 15. November 2007
Veröffentlichung: 5. Juni 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/12H01L25/10H01L25/11H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Kyushu Institute of Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kyushu Institute of Technology

Das Kyushu Institute of Technology ist eine japanische staatliche Technische Universität mit Standorten in Kitakyushu und Iizuka. Das Patentportfolio verteilt sich über Halbleiterbauelemente, Mess- und Prüftechnik sowie Software und Medizintechnik. Die Anmeldungen aus den Jahren 2005 bis 2025 betreffen unter anderem Potentialdifferenzmessgeräte und Farbstoff-Peptid-Komplexe.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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