Method of fabricating thin film transistor

WO2008067146 Art A1 5. Juni 2008

Anmelder: 3M Innovative Properties Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008067146
Aktenzeichen: EP07845009
Anmeldetag: 9. November 2007
Veröffentlichung: 5. Juni 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: 3M Innovative Properties Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 3M Innovative Properties

US-amerikanische Tochtergesellschaft des Mischkonzerns 3M, verwaltet Patente und geistiges Eigentum für Produkte aus Bereichen Klebetechnik, Materialwissenschaft und Konsumgüter.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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