Nonvolatile semiconductor storage device
WO2008068991
Art A1
12. Juni 2008
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008068991
- Aktenzeichen
- EP07831233
- Anmeldetag
- 5. November 2007
- Veröffentlichung
- 12. Juni 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G11C13/00H01L27/10H01L45/00H01L49/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sharp Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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