Photoelectric device using pn diode and silicon integrated circuit (ic) including the photoelectric device

WO2008069400 Art A1 12. Juni 2008

Anmelder: Electronics and Telecommunications Research Institute 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008069400
Aktenzeichen: EP07793403
Anmeldetag: 7. August 2007
Veröffentlichung: 12. Juni 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/8605

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Electronics and Telecommunications Research Institute
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 ETRI (Electronics and Telecommunications Research Institute)

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon. Forscht in Telekommunikation, Halbleitertechnik, künstlicher Intelligenz, Rundfunktechnik und Informations- und Kommunikationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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