Verfahren zur Herstellung von Sgoi- und Geoi-Halbleiterstrukturen
WO2008071328
Art A1
19. Juni 2008
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008071328
- Aktenzeichen
- EP07846995
- Anmeldetag
- 5. Dezember 2007
- Veröffentlichung
- 19. Juni 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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